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C60-based hot-electron magnetic tunnel transistor
por:
Gobbi, M.; Bedoya-Pinto, A.; Golmar, F.; Llopis, R.; Casanova, F.; Hueso, L.E.
Materias: Transistores; Carbono; Dispositivos electrónicos; Electrones; Semiconductores; Interfaces; Metales; Mediciones eléctricas; Campo magnético; Sensores
American Institute of Physics; 2012
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Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures
por:
Zazpe, R.; Stoliar, P.; Golmar, F.; Llopis, R.; Casanova, F.; Hueso, L.E.
Materias: Semiconductores; Metales; Propiedades eléctricas; Resistencia eléctrica; Interfaces
American Institute of Physics; 2013
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Experimental verification of the spectral shift between near- and far-field peak intensities of plasmonic infrared nanoantennas
por:
Alonso-González, P.; Albella, P.; Neubrech, F.; Huck, C.; Chen, J.; Golmar, F.; Casanova, F.; Hueso, L.E.; Pucci, A.; Aizpurua, J.; Hillenbrand, R.
Materias: Antenas; Nanotecnología; Nanoestructuras; Microscopía; Rayos infrarrojos; Espectroscopía
American Physical Society; 2013
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Electronic transport in sub-micron square area organic field-effect transistors
por:
Golmar, F.; Stoliar, P.; Gobbi, M.; Casanova, F.; Hueso, L. E.
Materias: Transistores; Semiconductores; Nanoestructuras; Dispositivos electrónicos; Campo eléctrico
American Institute of Physics; 2013
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HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
por:
Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P.
Materias: Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas
American Institute of Physics; 2014
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