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HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
por:
Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P.
Materias: Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas
American Institute of Physics; 2014
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