Repositorio Institucional

Efecto del Aditivo Tiourea utilizado en el proceso de la Electrodeposición de cinc en medio ácido.

1-Zulema Ángela Mahmud, 2-Gabriel Gordillo, 3-Carlos V. D´Alkaine 1-Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Gral Paz 5445.Buenos Aires-Argentina

2-Facultad de Ciencias Exactas y Naturales-FCEN-UBA. Ciudad Universitaria-Pabellón2. Buenos Aires- Argentina

3-Universidade Federal de Sao Carlos-UFSCar-Rod. Washington Luís km 235 - Sao Carlos-SP-Brasil zulema@inti.gob.ar

Resumen En la condición inicial en que se usan cronoamperometrías para acondicionar el electrodo se encontró que las corrientes son menores con tiourea, durante todo el tiempo de la experiencia. En el pico c1 a bajos sobrepotenciales de inicio de la voltametría, la tiourea disminuye las corrientes de pico de reducción del protón y no se encuentra zinc UPD con aditivo. En la voltametría, la tiourea retrasa el proceso de inicio de la deposición a potenciales de 35 mV en una concentración de 10-5M de aditivo. En la voltametrías el pico de nucleación c2, sin aditivo, presenta un plateau que desaparece en presencia de aditivo tiourea. En la zona de control activado, en la solución con concentraciones adecuadas de tiourea, la pendiente j vs , aumenta notablemente en la voltametría de electrodeposición. Se observa un aumento vertiginoso de corriente con tiourea, en la zona de control activo, se explica por un aumento de la cinética de electrodeposición porque aumenta la corriente de intercambio, io, que está dado por k*C, donde k es el la constante cinética de la reacción. La eficiencia de la reacción aumenta en presencia de tiourea en concentración adecuada (aproximadamente 3x10-5M) como se muestra en las experiencias. Cuando comienza la zona de deposición con control activado, la deposición en presencia de aditivo, se adelanta a potenciales más positivos y la densidad de corriente j aumenta notablemente. Se discute la razón por la cual aumentan las corrientes en presencia de tiourea.

-1-



De igual forma, en la zona de potenciales del pico c3 también aumenta el valor de la densidad de corriente, j, a un potencial aproximado de -1,2 V vs calomel, con tiourea. Simultáneamente el valor de potencial de c3 se desplaza hasta unos 20 mV más positivos, según la concentración de aditivo, que posiblemente sea por la adsorción de tiourea en el potencial inicial. En las curvas de polarización las corrientes de corrosión son más bajas en presencia de tiourea, y los potenciales se desplazan a valores más positivos, lo que significa un material más noble. Se ha encontrado por SEM que con tiourea, los depósitos cubren toda la superficie. El análisis por XPS, revela que la tiourea no se incorpora a la superficie.

Voltametría -microestructura-cincado-aditivos–voltametría de onda cuadrada-XPS

Introducción Las sustancias agregadas a las soluciones de electrodeposición denominadas “aditivos” son indispensables para obtener depósitos de calidad adecuada. Para mejorar las condiciones de electrocincado en presencia de un determinado aditivo, es básico entender su mecanismo de acción. Los mecanismos de acción de los aditivos fueron explicados por Oniciu y Muresan1 y T. C. Franklin2. Los aditivos modifican el potencial en el que se inicia la deposición desplazándolo hacia valores más negativos; complejan al metal que se está depositando modificando la cinética de deposición y particularmente la cinética de nucleación al inicio de la deposición lo que es fundamental para iniciar un buen proceso de deposición. Los aditivos como es conocido, se usan para refinar y nivelar los depósitos aumentando la velocidad de deposición. Por esta razón, se profundiza en el estudio de la electrodeposición de cinc en presencia y ausencia de aditivos(3,1). Se utilizan técnicas electroquímicas como la voltametría cíclica en el estado inicial, de onda cuadrada, de disolución, saltos potenciostáticos y saltos galvanostáticos, deposicióndisolución para determinar la eficiencia de reacción. Se hicieron voltametrías con aditivo tiourea y se encontró que la mayor eficiencia de reacción se produce a una densidad de corriente de 10 mAcm-2.

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El principal aporte de este trabajo, es el uso de varias técnicas se determinaron las condiciones óptimas de corrientes, potenciales y concentración de aditivo. Se estudió la condición inicial de potencial antes del inicio de la deposición y técnicas electroquímicas y no electroquímicas, fundamentales para las determinaciones. 1- La condición inicial0: En el potencial al que se acondiciona el electrodo, Ei,

antes del inicio de la electrodeposición, en presencia de bajas concentraciones de tiourea (desde 5 10-5 M), la corriente anódica observada durante el período de acondicionamiento, es notablemente menor que la que se observa en ausencia de aditivo (ver la figura 1). Este efecto, se explica por la inhibición de la disolución hierro (4). 2- Nucleación: Se determinó claramente la zona de potenciales: en la que ocurre la nucleación en presencia y ausencia de aditivo. 3- Las técnicas electroquímicas utilizadas han sido fundamentales para el estudio: la técnica voltamétrica- potenciostática ha permitido determinar la eficiencia de reacción de forma conveniente. 4- Eficiencia con aditivo: Se encontró que creciendo galvanostáticamente los depósitos en solución con tiourea a distintas j, en distintas concentraciones de tiourea y luego, la disolución se obtiene mayor eficiencia con aditivo en relación a cuando se usa la solución sin aditivo. 5- Condiciones óptimas de densidad de corriente de 10 mAcm-2y concentraciones de tiourea aproximadas de 3x10-5M. Los estudios han permitido encontrar una densidad de corriente. 6- Análisis por la técnica de XPS, han permitido determinar que la tiourea no se ha incorporado a la superficie durante la electrodeposición.

Procedimiento experimental

1 Voltametría Catódica.

En la figura 1 se da como ejemplo el barrido de potencial llevado a cabo al electrodo de trabajo durante todas las electrodeposiciones desde un potencial inicial: Ei –0,65V hasta el potencial final: Ef -1.4 V. En las voltametrías salvo que se especifique otro valor, el barrido catódico se realizó a 10 mV s-1.

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j / mAcm-2

( ( ) )



10 0

-10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80

-1.6



"pico c " 1



E i



"pico c " 2



"zona jl"



"zona control activo"



"pico c " 3



-1.4



-1.2



-1.0



E/V



10mVs-1



-0.8



-0.6



Figura a. Voltametría catódica típica a una velocidad de barrido v = 10mVs-1, que muestra parámetros como ipc, Epc (corrientes y potenciales catódicos de cada proceso).



En los casos en los que se necesitó observar los procesos en condiciones cuasi-estacionarias se aplicaron velocidades con valores entre 0,5 mVs-1 hasta 1 o 2 mV s-1.



2 Voltametría de Onda Cuadrada(5).



La voltametría de Onda Cuadrada consiste en un avance de potencialtiempo mediante escalones. Los escalones son de un cierto ancho en mV y alto en mV. Cada punto se mide con una determinada frecuencia en s-1. En la figura 3, se muestra como es la señal aplicada de potencial E / mV en función del tiempo t (segundos). El valor del potencial está dado por la fórmula

Em  Ei  m2 1Es  Esw 1 1 m1 (50)



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E / mV



120



100



80



2 1



60

40 Esw

20



2´ 1´ Es



Ei



0 5 10 15 20 25 30 35 40 t/s



Figura b. Perturbación del sistema mediante una señal con escalones de potencial. Las flechas indican los puntos donde se hace la medida de corriente al final de cada hemiciclo. Se fija el valor de E de avance en mV de un escalón al siguiente.



La voltametría de onda cuadrada “SWV square wave voltammetry“ resulta de la medición de j y E, en cada escalón, en los puntos que se indican en las flechas, con la frecuencia fijada. Se registran los valores de corriente potencial, simultáneamente en la voltametría directa, en la reversa y en la diferencia. En la “voltametría directa” para cada potencial se mide la corriente al final del escalón en cada pulso. La voltametría de onda cuadrada muestra la medición de la corriente en el potencial correspondiente al punto 1, de deposición, luego de la corriente al potencial siguiente, de disolución, en el punto 1´, luego de la corriente de deposición en el potencial del pulso siguiente, en el punto 2, y luego la corriente de disolución en el potencial correspondiente a 2´. Se fija además cual es el salto de potencial entre los puntos 2 y 2´. En los estudios, se ha utilizado Es = 1mV en todos las mediciones con voltametría de onda cuadrada. Mientras que en la “voltametría reversa ó de retroceso” al final de cada escalón de potencial, se registra el valor de la corriente del proceso de

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disolución de lo depositado en el pulso anterior en los puntos 1´y 2´. En la “voltametría diferencia”, al final de cada pulso se registra el valor diferencia de corriente entre los valores directo y el de retroceso. En la “voltametría de onda cuadrada directa”, figura c, el primer plateau es equivalente al “pico c2“ ó proceso de nucleación que es equivalente al de la voltametría catódica porque pertenece a la misma zona de potencial. En la disolución se observa un pico que se puede asignar a un “pico de disolución” porque corresponde al retroceso con valores de j positivos, en la “voltametría de retroceso”, que se corresponde con el c2 de deposición. El pico catódico durante la deposición masiva en el pico c3, en la “voltametría directa”, no tiene un pico de disolución correspondiente en la voltametría de retroceso. Esto es así, porque el proceso de deposición se produce a potenciales mucho más negativos que el potencial reversible. Luego es mucho mayor velocidad de deposición con altos valores de j y también es alta la disolución con altos valores de j. La “voltametría diferencia” corresponde al “proceso neto” de deposición menos el de disolución que ocurre en cada potencial.



0



jc / mA cm-2



-50 -100 -150

-1,6



"pico c " 2



"pico c " 3



-1,4



-1,2



Voltametría de onda cuadrada 1 mV 25mV 60Hz

directa retroceso diferencia



-1,0



-0,8



-0,6



E/V



Figura c. Voltametría de onda cuadrada. Escalón aplicado de 1mV de ancho y de 25mV de alto, frecuencia 60 Hz. Perturbación del sistema mediante una señal (escalón) de potencial.

Se ven amplificados cada uno de los procesos que también se mostrarán en la voltametría catódica en los resultados experimentales. El avance en mVs-1

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es el ancho del pulso multiplicado por la frecuencia. El resultado es (1mV * 60Hz) igual a 60mV s-1.

3 Potenciostática:

Consiste en aplicar un potencial constante entre electrodo de trabajo y el electrodo de referencia, para lo cual el potenciostato pasa la corriente necesaria entre el electrodo de trabajo y el contraelectrodo. Se registra la corriente que circula en función del tiempo. Se denomina también cronoamperograma ó cronoamperometría. La deposición voltamétrica como la potenciostática se utilizan en el laboratorio, mientras que la deposición galvanostática se aplica en la industria.

4 Galvanostática. Comparación de la galvanostática con la voltametría.

Con respecto a la técnica galvanostática es interesante analizarla porqué se usa en la industria para tener una mejor comprensión de los procesos que ocurren. La galvanostática es una técnica transiente que consiste en la aplicación de una corriente constante entre el electrodo de trabajo y el contraelectrodo, se mide y registra el potencial que adopta el electrodo de trabajo respecto del electrodo de referencia como una función del tiempo. Se utilizan industrialmente, por ello consideramos importante analizar desde el punto de vista básico porque en los espectros galvanostáticos (cronopotenciograma ó cronopotenciometría) se producen los saltos de potencial y como se relacionan con los procesos involucrados para la corriente elegida en cada caso. Mientras que durante un transiente voltamétrico se puede analizar la deposición, en todo el rango de potencial. No es así en el proceso de deposición galvanostática en el que se fija la corriente constante i / A, y quedan determinados valores de potencial E / V, correspondientes a los distintos procesos. En el transiente galvanostático primero el potencial permanece en un valor E1, durante un tiempo correspondiente a un primer proceso. Luego aparece un salto de potencial a E2 en el que permanece un tiempo que corresponde

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a un segundo proceso. Se puede explicar la galvanostática comparando con un transiente voltamétrico.



j / mA cm-2



0



"c"



"b"



"a"



-10



"i "



1



-20



"i " 2



"e"



"d"



-30



-40



-50



-60 -1.5 -1.4 -1.3 -1.2 -1.1 -1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6

E/V



Figura d. Transiente voltamétrico que permite mostrar

en cada potencial, las densidades de corriente j (mA/cm2) y diferenciar los procesos que posiblemente

ocurran durante la electrodeposición. Velocidad de barrido v = 10 mV s-1.



Si se intersecta el espectro voltamétrico de la figura d, a corriente constante i1 , se obtienen los puntos “a”, “b”, y “c” sobre la linea horizontal. En el transiente galvanostático a i1 los saltos serán a los potenciales correspondiente a cada proceso relacionado a dichos puntos. Por ejemplo, en el transiente galvanostático a i1, primero el potencial permanece en el valor de E”a“ y permanece en ese valor un cierto tiempo hasta que termina el proceso en ese pico y salta hasta el potencial E”C” del próximo proceso y permanece en ese valor el tiempo que dura el nuevo proceso. Lo mismo se aprecia en la figura si se intersecta a corriente i2, se obtienen sobre la horizontal los puntos “d” y “e”. El transiente galvanostático a i2, mostrará el potencial E”d” o uno próximo durante un tiempo y el salto al potencial del punto “e” o un valor próximo que durará el tiempo de ese proceso. Consiguientemente, mediante el transiente galvanostático sólo podemos determinar a cada densidad de corriente, la evolución E vs t para uno dos ó tres procesos y no podremos visualizar que ocurrirá en todo un



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rango, los valores la corriente i, el potencial E, y el tiempo t tal como es posible en la voltametría.

5 Voltamétrica catódica seguida de potenciostática: Los depósitos fueron obtenidos mediante un barrido voltamétrico rápido y seguidamente crecidos potenciostáticamente a distintos potenciales Eg, en la zona elegida para el estudio en la voltametría. Inicialmente para la deposición en todos los casos, se acondicionó el electrodo potenciostatizando a Ei = -0.65v durante 300 s, luego se realizó un barrido rápido a 100 mV s-1 hasta el potencial Eg previamente elegido donde se potenciostatizó en Eg, hasta alcanzar una carga Q previamente fijada. En este último, el cinc electrodepositado se realizó mediante un barrido voltamétrico rápido a 100 mV s -1 seguido de crecimiento potenciostático a un potencial Eg = -1,16 V (donde ocurre deposición masiva con control activado) hasta alcanzar una carga alta de 5C cm-2.

6 Crecimiento galvanostático de depósitos: Los depósitos fueron crecidos galvanostáticamente a distintas corrientes Ig, en la zona elegida para el estudio de la voltametría. Inicialmente después del acondicionamiento del electrodo se realizó un salto hasta Ig, previamente elegido y se mantuvo en ese valor un cierto tiempo, hasta alcanzar una carga Q previamente definida del orden de 0,5 a 1Ccm-2.

7 Disolución voltamétrica lenta en solución diferente a la de deposición: Se realizó la disolución voltamétrica en NaOH 1N, de depósitos previamente crecidos como se explicó en 5 y 6. La voltametría se hace desde un potencial suficientemente negativo, en este caso se encontró que para la disolución de depósitos de cinc debe ser de -1,4V ó -1,5V porque a potenciales más positivos no se puede visualizar el pico de disolución que es lo que se busca. El barrido para la disolución debe ser a una velocidad muy lenta de aproximadamente 0,5 mVs –1, a velocidades mas altas que 5 mVs – 1, es difícil de que aparezca el pico según el caso. En el caso que durante la disolución voltamétrica no se obtenga una campana de Gauss completa, es que no ocurre la disolución completa del depósito, se deberá partir en la

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disolución de valores más negativos de potencial y con una velocidad de barrido muy baja (0,1mVs-1 a 0,5mVs-1). La eficiencia de la deposición se calcula de la relación Qdis / Q dep, donde la carga de disolución es el área bajo la curva en la voltametría de disolución obtenida en las condiciones antes explicadas en solución conveniente. La carga de deposición se mide y varía desde cero hasta el valor estipulado Q ya sea mediante la técnica potenciostática ó galvanostática.

8 Aproximación de Tafel, para la obtención del valor de j0 en condiciones cuasi – estacionarias:

Se llevó a cabo un depósito de cinc sobre acero, potenciostáticamente en Eg hasta una cierta carga. Luego se midió el potencial a circuito abierto. El barrido voltamétrico anódico se realizó desde un potencial próximo al valor del potencial de circuito abierto, ECA. Aproximadamente a partir de unos 15 ó 20 mV más catódico que ECA y hasta 15 mV más anódico, a velocidades muy bajas, v = 0,2 mV s-1, para obtener condiciones cuasi – estacionarias (no transientes) como en la mayoría de los casos en los que las velocidades v son mayores. Se utiliza la aproximación de Tafel para obtener el valor de j0, trazando las tangentes de las ramas anódica y catódica de la curva log j vs E.

9 Análisis por SEM de los depósitos

Se empleó la Microsonda electrónica EDX. Se han preparado las muestras igual que en el comienzo de las electrodeposiciones. Se potenciostatizó la muestra al potencial Eg a estudiar. Por ejemplo, al potencial inicial Ei =0,65V, ó en los potenciales en los que ocurren procesos en la voltametría catódica, en la zona de potenciales de los picos (Ec1, Ec2, Ec3). En todos los casos, se potenciostatizó hasta alcanzar una carga Q previamente establecida según la experiencia, a un valor de Q =1C cm-2. Se lavó la muestra, se secó con aire y luego se guardó en un desecador hasta el análisis por Microsonda Electrónica y el análisis de la morfología de los depósitos mediante SEM.

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10 Análisis por XPS de depósitos

Se realizaron los análisis mediante XPS en el Departamento de MaterialesComisión Nacional de Energía Atómica, CNEA. Se realizaron las experiencias mediante XPS con el objetivo de ampliar el conocimiento de posibles elementos ó compuestos presentes en la superficie. La técnica XPS es específica para el estudio de superficies ya que brinda información de los elementos que las componen y del estado de combinación química de los mismos. Su profundidad de análisis es de 20-30 À y detecta todos los elementos de la tabla periódica excepto H y He. Se analizaron las muestras cincadas con el objeto de determinar los compuestos formados en los diferentes tratamientos. Para ello, en cada muestra se tomó primero un espectro extendido en energías, espectro wide, donde todos los elementos presentes en las superficies en cantidades detectables dieron origen a picos característicos XPS. Luego se midieron los espectros angostos o narrows, abarcando un rango acotado de energías alrededor del máximo de los picos característicos. Mediante la medición de las energías (de ligadura) y recurriendo a tablas (6,7), es posible identificar los compuestos formados en las muestras preparadas según 1 y 2 y luego, se analizan por XPS.

11 Análisis por las técnicas SEM, XPS, de la muestra preparada en solución de electrodeposición de cloruros con tiourea, se procedió así: Se preparó una solución de cloruro de sodio + cloruro de cinc, con 3*10 –5 M de tiourea de igual fuerza iónica que la solución de cloruro de amonio + cloruro de cinc a pH 4. Se preparó la solución con la misma técnica voltamétrica potenciostática a igual Eg y carga Q que en el párrafo anterior y se analizó.

Resultados 1. Influencia del agregado de tiourea en los valores de j en el potencial de acondicionamiento.

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Se estudian las cronoamperometrías en el estado inicial en solución de base (en ausencia de cinc) y en solución de electrodeposición. Aquí se estudian las cronoamperometrías en presencia y ausencia de aditivo, para ello, se elige el potencial Ei, de acondicionamiento, ECA potencial de circuito abierto, y luego se potenciostatiza el electrodo en la solución de electrodeposición en figura 1.



ja / A cm-2



350 300 250 200 150 100

50 0 0



S olución de electrodeposición sin aditivo con tiourea 5*10-5M



1 2



200



400



600



800



1000



t/s



Figura 1. Cronoamperometría en el estado inicial potenciostatizando a Ei=-0,65V y pH = 4 durante el acondicionamiento del electrodo: 1- sin aditivo y 2- con el agregado de 5 x 10-5 M de tiourea. Solución de electrodeposición de ZnCl2 0,3M + ClNH4 4,2M. I = 5,1M.

La corriente durante el acondicionamiento en presencia de aditivo en la solución de electrodeposición cambia aún más que en ausencia del mismo.

Se reduce j en el tiempo por la acción conjunta de a) la tiourea y b) los cationes amonio NH4+ y los cationes cinc Zn2+ además de los aniones cloruro.

En el potencial Ei en ausencia de aditivo, el valor de la densidad de corriente ja anódica y estacionaria, tiende a un valor de 100A cm-2. En esa condición de potencial y corriente, se produce la disolución del acero.

Durante el curso de la experiencia, en presencia de tiourea, el valor de j alcanzado es aproximadamente de 28 a 30 A cm-2 (ver la figura 1). El

valor de j estacionaria con tiourea se reduce con respecto al valor de j sin



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aditivo. Esto indica que la tiourea inhibe las reacciones que ocurren en el potencial inicial Ei. Se investiga en los ítems que siguen, cómo influye la tiourea en los diferentes potenciales durante la deposición. 2 Deposición voltamétrica en presencia de aditivo. En la figura 2, se aprecia como se modifica la respuesta voltamétrica en las diferentes zonas de potenciales, debido al agregado en concentraciones crecientes de tiourea a la solución de electrodeposición. Con tiourea adicionada a la solución de electrodeposición, ver las figuras 2 y 3, se reducen las densidades de corriente de las reacciones que se producen en la zona del pico c1. El plateau o el pico que aparece en la zona de c2 corresponde a la nucleación (se observa “plateau” o “pico”, según las condiciones de la experiencia). En presencia de aditivo, el potencial al inicio de la nucleación, se desplaza hacia potenciales más negativos. Las flechas verticales, en la figura 2, indican el inicio de la nucleación.

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Inicio de



10



la nucleación



"c " 1



Ei



0



Potencial de Cruce



-10



"c " 2



-20



"control



" corriente activado"



-30 límite"



j / mA cm-2



-40



-50



-60



-70 "c "

3

-1.5 -1.4 -1.3 -1.2 -1.1 -1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 E/V

Figura 2. Voltametrías catódicas de la electrodeposición de cinc obtenidas: 1) negro sin agregado de aditivo. 2) rojo 10-5 M tiourea 3) azul 10-4 M tiourea 4) magenta 10-3 M. Solución de electrodeposición: ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M, pH 4, I = 5,1M, v = 10 mV s-1. En la zona de potenciales del pico c2, antes del “potencial de cruce”, queda inhibido el proceso de nucleación con tiourea, básicamente porque disminuyen los valores de densidades de corriente con aditivo jca respecto de los que tiene la densidad de corriente sin aditivo, jsa, como se explicita, más adelante en la figura 7. En la figura 2, después del potencial de cruce, aumentan los valores de j del plateau con tiourea, curva roja. El mismo no tiene la forma típica de un plateau, lo que puede atribuirse a que se superponen dos procesos: el que ocurre en el plateau y el que ocurre durante la deposición masiva con control activado. Además, al aumentar la concentración de aditivo en la solución se ve que va desapareciendo el plateau en c2, ver la curva roja, la curva azul y la curva magenta, después del potencial de cruce. En la zona de potenciales de control activado, la curva negra, que corresponde a solución de electrdeposición sin aditivo, aparece a potenciales más negativos. En esta misma zona, cuando la concentración de la tiourea presente en la solución aumenta, las curvas se desplazan hacia potenciales más anódicos. A cada potencial, el valor de j aumenta considerablemente cuando aumenta la concentración de tiourea, lo que



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puede atribuirse a la formación de muchos núcleos porque la tiourea, o su complejo, se adsorben y cubren la superficie refinando el grano de zinc que se deposita. Así aumenta el área expuesta. De este modo, se facilita la deposición masiva porque cambia la cinética en la zona de control activado, lo que se evidencia por el incremento de la pendiente de J vs E en presencia de aditivo. El pico c3, aumenta con la concentración de tiourea, ver la flecha en la figura 2. En la zona de tendencia a la densidad de corriente límite difusional, señalada en la figura, el valor de j medio aumenta con mayor concentración de tiourea. Esta j medio mayor en presencia de aditivo, puede explicarse como que se deposita más. Aunque se produce en esta zona de potenciales la evolución de H2 por la descomposición del agua. En este caso, la evolución de hidrógeno es sobre cinc, porqué a estos potenciales ya se ha depositado cinc. La evolución de gas en esa zona de potenciales dificulta la comparación de los datos.

2.1. Efecto del agregado de aditivo tiourea en la zona de potencial del pico c1. Se presenta en la figura 3, la incidencia de la tiourea adicionada a la solución de electrodeposición en el pico c1. Como resultado, cuando en la solución está presente la tiourea en concentraciones crecientes, los valores de densidades de corriente en el

pico, jp, son menores y disminuye el área y la carga debajo de las curvas. Este fenómeno, puede explicarse por la adsorción del aditivo, o su complejo, sobre la superficie de acero desnudo (4, 8, 9, 10). A medida que aumenta la concentración de aditivo el potencial del pico c1 se desplaza hacia valores más negativos según la flecha en la figura 3.

- 15 -



0



j / mA cm-2



-2



-4



-1.1



-1.0



-0.9



-0.8



-0.7



E/V



Figura 3. Voltametría catódica en la zona de potencial del pico c1 con los agregados de tiourea indicados: 1) negro sin agregado de aditivo, 2) rojo 1*10-5M tiourea, 3) azul 1*10-4M tiourea 4) magenta +1*10-3M. Solución de electrodeposición: ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M, pH 4, I = 5,1M. Velocidad de barrido v = 10 mV s-1. Como se ha expresado, la densidad de corriente del pico, jp, durante la

reacción de reducción de protones disminuye después del pico por la

deposición UPD del cinc.

Las ondas voltamétricas muestran que a medida que aumenta la

concentración del aditivo tiourea, se inhibe más la reacción de

desprendimiento de H2.

El UPD parece producirse independientemente de la tiourea, pero el efecto

que le produce esta es desplazarlo hacia potenciales más negativos, esto es

así según sea la concentración utilizada, ver la figura 3.



2.1.1 Influencia de la concentración de tiourea en el pico c1. En principio se intenta diferenciar la respuesta de la voltametría de barrido lineal y de onda cuadrada en el pico c1, c2, y de deposición masiva con control activado y de densidad de corriente límite. En la experiencia de deposición mediante la voltametría de onda cuadrada directa, con tiourea en las concentraciones crecientes del aditivo indicadas se muestran los procesos que ocurren en la figura 4.



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El pico c1, se encuentra ampliado en el recuadro, en la figura 4. b, a la derecha. A bajas concentraciones, son notables las diferencias en los valores de la densidades de corriente de pico, jp. En el caso sin aditivo jp es de unos 5mAcm-2. Para las concentraciones menores por ejemplo 10-7 M (curva oliva) y 10-6 M (curva azul) es jp es 7,5 mAcm-2. Para las concentraciones mayores las corrientes son menores, por ejemplo, para 10-5 M (curva roja) y para 10-4 M (curva púrpura) jp es 1,4 mAcm-2 (figura 4.b). Las modificaciones que sufre el pico c1 a medida que aumenta



25

(a)

0



-25

(b)



-50



0



j / mAcm-2 j / mAcm -2



-75

-10

-100



-125



-150



-20 -1,1 -1,0 -0,9 -0,8 -0,7

E/V



-1,6



-1,4



-1,2



-1,0



-0,8



-0,6



E/V



Figura. 4. Influencia de la tiourea adicionada a la solución de electrodeposición en la forma de la voltametría de onda cuadrada directa. Las adiciones: 1- negro sin aditivo, 2- oliva con 10-7 M, 3- azul 10-6 M, 4- rojo 10-5 M, 5- púrpura 10-4 M. En la voltametría se ha utilizado en la medición un escalón de altura: 25mV, el ancho del escalón 1 mV, y la frecuencia 60 Hz. 1-Solución de ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M I = 5,1M a pH = 4. b. recuadro: Zona ampliada de potenciales del pico c1.

la concentración del aditivo muestran claramente que la tiourea inhibe la

reacción de desprendimiento de H2. Además si sólo este fuera su efecto el

Ei debería desplazarse hacia valores más negativos. Pero el agregado de

tiourea, en Ei, desplaza el potencial en el sentido positivo, luego también

afecta la disolución del hierro.



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El inicio de la nucleación y la zona de control activado, tienen un desplazamiento de potencial hacia potenciales más negativos para concentraciones mayores que 10-5 M, curva roja. El pico c3 aumenta para concentraciones de 10-4 M de tiourea, curva púrpura. Los fenómenos son los mismos que se observan en la voltametría de barrido para el caso de la tiourea en altas concentraciones mayores que 10-5 M: disminuye la reacción de reducción del protón, la nucleación se retrasa, aumenta la pendiente de la zona de deposición masiva con control activado facilitándose la deposición y aumenta la deposición masiva con control por transporte en el pico c3.

2.1.2 Efecto de la presencia de tiourea en la reducción del hidrógeno y la deposición del cinc UPD. En la figura 5, se muestra el barrido catódico desde el potencial inicial, Ei, hasta el potencial de inversión, Eg, próximo a la finalización del pico c1, luego el barrido anódico hasta el potencial final, Ef, en soluciones de base, de electrodeposición y de electrodeposición con tiourea. Se empleó esta concentración de 5 10-5 M porqué la reducción del protón se inhibe notablemente para valores mayores que 1 10-5 M, ver la figura 4.b. En este experimento se buscó entender si por la presencia de la tiourea, se modifican los procesos que ocurren en el pico c1 y el pico anódico correspondiente. En la figura 5, en solución de base no aparece el pico c1 ni el correspondiente pico anódico. Claramente se ve que en solución de electrodeposición sin aditivo, curva 2 (roja), aparece el pico c1 y el pico de disolución que corresponde al proceso de UPD del cinc en c1. En la voltametría en el barrido catódico, en solución con tiourea en concentración de 5 x 10-4 M, curva 3 (azul) no aparece el pico anódico que se corresponde al UPD del cinc. Con tiourea, contenida en la solución de electrodeposición, no ocurre la deposición de Zn UPD.

- 18 -



j / mAcm-2



1- Solución de base



25



2- Solución de electrodeposición



3- Solución de electrodeposición +



20



5*10-5 M de tiourea



15



10



5



3 0 Eg 2



Ei



-5



1



-1.0



-0.9



-0.8



-0.7



-0.6



E/V



Ef 2 1 3

-0.5



Figura 6.1.5. Barrido catódico - anódico en la zona de potenciales del pico c1, desde Ei, con inversión en Eg = -1,05 V, y luego el barrido anódico hasta el potencial final, Ef, en soluciones de base, de electrodeposición de ZnCl + NH4Cl y de electrodeposición con aditivo tiourea en una concentración de 5*10-5 M de tiourea. V = 10 mVs-1.

A potenciales más positivos, en valores próximos a -0,5 V, ver la figura 5,

aumenta la corriente en todos los casos curvas 1, 2 y 3 que se atribuyen a

la disolución del hierro. Se observa que este aditivo produce una fuerte

inhibición de la disolución del hierro a bajos sobrepotenciales anódicos.



2.1.3 Efecto de la presencia de tiourea en c1 bajo condiciones hidrodinámicas controladas Se observa en la figura 6, la voltametría en presencia de aditivo rotando el electrodo de trabajo. En la figura 6. b, en el recuadro j vs w1/2 se intenta aclarar si el proceso es difusional o no.



- 19 -



-j / mAcm-2

-jp mAcm -2



1



a 2



b



c



3



d



-1,1 -1,0



-0,9



3,8 3,6 3,4 3,2 3,0 2,8 2,6 2,4 2,2 2,0 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,56,0

w1/2 / s-1/2

-0,8 -0,7 -0,6 -0,5

E/V



Figura 6. Barridos voltamétricos a 10 mV s-1 rotando a distintas velocidades de rotación a) 500 rpm b) 1000 rpm c) 1500 rpm y d) 2000 rpm. Solución de ZnCl2 0,3 M + NH4Cl 4,2 M con el agregado de 3*10-5 M tiourea. b. recuadro: jc vs w1/2 a los mismos valores de w que la figura a. tomando los valores de j a un potencial de -1,06 V. Solución de electrodeposición: negro sin aditivo. 2) rojo con 3*10-5M de tiourea.

La relación entre jp y la velocidad de rotación w1/2 en c1, es lineal en ausencia de aditivo y no es lineal en presencia de tiourea, con lo que no puede atribuirse a un proceso difusional.

2.2.1 Zona de potencial del pico c2 de la voltametría. Como se ha dicho con referencia al pico c2, esta es la zona de potencial donde comienzan a formarse los primeros núcleos. En este sentido, interesa mostrar como se modifica esta etapa de la electrodeposición en la presencia de diferentes concentraciones de aditivo, en este caso la tiourea. En las voltametrías catódicas de la figura 7, se indican los detalles para los casos en los que se adiciona tiourea en concentraciones crecientes a la solución de electrodeposición.



- 20 -



j / mA cm-2

E/ V



potenciales de inicio de la nucleación

(a)



-5



"potencial de cruce"

-10



-1,095 -1,100



"desplazamientodel potencial al iniciodelanucleación"



-1,105



-1,110



(b)



-15



-1,115



-1,120

0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,0010

C/ Mtiourea

-20 -1,14 -1,13 -1,12 -1,11 -1,10 -1,09 -1,08 -1,07 -1,06



E/V



Figura. 7. a Efecto en las voltametrías en la zona del pico c2, de la adición de tiourea a la solución de electrodeposición: a) negro: sin tiourea, b) rojo: con 10-5 M, c) azul: con 10-4 M, d) magenta: con 10-3 M. 1-Solución de ZnCl2 0,3M +

NH4Cl 4,2M I = 5,1M pH = 4. I = 5,1M. b recuadro. A partir de los datos de la figura 6.1.7 (a), a j = 5 mA cm-2, se trazó la curva potencial de inicio de la

nucleación vs concentración de tiourea. La velocidad de barrido v= 10 mV s-1.



En la figura se muestra el desplazamiento del inicio de la nucleación en la zona del pico c2, por el agregado de diferentes concentraciones de tiourea. Ese potencial es de -1,08 V (para el caso sin aditivo) y se desplaza hacia valores más negativos, cuando la concentración de aditivo aumenta en la solución. Danciu. V et al (11) indican que en el proceso de cincado “se consiguen altos desplazamientos de potencial por la acción de un aditivo o por la interacción entre distintos aditivos”. Estos mismos autores señalan que por los aditivos cambia la cinética de deposición que pasa a un proceso inhibido o de cinética dificultada. Se produce un desplazamiento de potencial de inicio de la nucleación de unos 25 mV con tiourea en una concentración de 10-5 M (por trazado de las tangentes en la curva roja) y un desplazamiento de 40 mV en el caso de adiciones de tiourea de 10-4 M ó 10-3 M a la solución de electrodeposición (curvas azul y magenta).

- 21 -



Los valores de la densidad de corriente, j, se obtienen dividiendo las corrientes medidas por el área geométrica del electrodo. Por esta razón los valores de corriente medidos son proporcionales a la sumatoria de las áreas de los núcleos en la superficie. Aunque a este efecto en presencia de tiourea, se le suma otro efecto que se produce durante la etapa de acondicionamiento en la que una menor corriente preserva una superficie más rugosa y es por esto que en todas las etapas se ve más corriente. En la presencia de tiourea, al inicio de la zona de c2 que se visualiza mejor en las curvas sin aditivo o con bajas concentraciones de tiourea, 1x 10-5 M. El hecho que las corrientes sean menores en presencia de tiourea significa que son menores las áreas de los núcleos en la superficie. Consecuentemente, al haber áreas menores es porque el proceso de nucleación en c2 queda inhibido cuando la tiourea está presente en la solución. Un detalle importante para destacar es que a mayores concentraciones de tiourea, después del “potencial de cruce” de las curvas sin y con aditivo, a cada potencial aumentan los valores de j respecto de los j sin aditivo. La nucleación comienza cuando aumenta la densidad de corriente en el rango de potenciales del pico c2, cuando la solución no contiene aditivo. Con la presencia de tiourea la nucleación se inicia en un potencial de 20 a 50 mV más negativos que en el caso anterior. En los potenciales de inicio de la nucleación, el aumento de j en ambos casos, puede atribuirse al aumento del área de los núcleos. Los núcleos se forman y según sea el proceso de deposición chocan por colisión dura o blanda. En esa zona de control activado el choque es por colisión dura como es deseable para un buen proceso de deposición y por eso el área aumenta evidenciándose un aumento de j, hasta un punto en que la deposición masiva.

2.2.2 Efecto de la concentración de tiourea en la nucleación. En la voltametría de onda cuadrada, en el avance en el sentido de potenciales negativos se produce deposición. En la voltametría de retroceso hay deposición a j negativas, y también se observa el proceso de la disolución a j positivas. Ver la figura 8.a. y 8. b.

- 22 -



Se eligió la voltametría de onda cuadrada de retroceso porque permite obtener el pico de disolución amplificado.



-5

(a)

0



j / mAcm-2

j / mAcm -2



5



15



(b)



10

10



5



15

0



20 -1.6



-1,15



"pico masivo"



-1.4



-1.2



-1.0



-1,10



-1,05



E/V



-0.8



-0.6



E/ V

Figura. 8. Influencia del agregado de tiourea en la forma de la disolución del plateau de nucleación, de la voltametría de onda cuadrada de retroceso. En las condiciones: 1- negro sin aditivo, 2- oliva con 1*10-7 M, 3- azul 1*10-6 M, 4- rojo 1*10-5 M, 5púrpura 1*10-4 M. En las voltametrías se han utilizado en la medición un escalón de altura: 25mV, el ancho del escalón 1 mV, y la frecuencia 60 Hz. 1-Solución de ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M I = 5,1M a pH = 4. 8.b) Ampliación del pico de disolución para concentraciones crecientes de tiourea.



En las figuras 8 y 8.b se observa que las voltametrías de onda cuadrada de retroceso tienen un pico de disolución de corriente positiva debida a los núcleos formados previamente, que se modifica según sea la concentración de aditivo en la solución. Para concentraciones de tiourea de 10-7 M o 10-6 M, el pico de disolución es mayor que el pico en el caso en que solución no contiene aditivo. De esta manera, si el pico de disolución es mayor, es mayor la nucleación en el proceso previo. Las diferencias entre las áreas encerradas debajo de una y otra curva son altas del orden del orden de un 20 %, que no pueden atribuirse al error en la medición.



- 23 -



A otras concentraciones estudiadas de 10-5 M, ó de 10-4 M, ver la figura 8.b, el pico de disolución disminuye notablemente y los valores de j leídos son del orden de 1 mAcm-2, en la base del pico (curvas roja y púrpura). Se puede decir que en esta condición, a estas concentraciones de tiourea, prácticamente no existe disolución lo que significa que la nucleación todavía no se inició o está inhibida. En la voltametría de retroceso, luego de la zona de potenciales de disolución, los valores de j se vuelven negativos, lo que implica que el proceso neto es de deposición. 2.2.3 Efecto de la rotación en el pico c2 en presencia de tiourea. En la figura 9, se observa el efecto de la tiourea en condiciones hidrodinámicas controladas. En la figura 9.a y 9.b, con aditivo, se puede asignar la nucleación a la zona de potenciales de c2. El proceso de nucleación en la zona de potenciales de c2, se evidencia, retrasado, por la rotación. En cambio en esa misma zona, sin rotación se insinúa un plateau.

- 24 -



j / mAcm-2 j / mAcm -2



0 (a)

-10

-20 -30



0



C2



(b)



-10



-40



-20



c



2



-50



3*10-5 Mtiourea



-30



500 rpm 1000 rpm



-60



1500 rpm 2000 rpm



-40



-70



-1,20 -1,18 -1,16 -1,14 -1,12



E/ V



-1,5 -1,4 -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 -0,9 -0,8 -0,7 -0,6



E/V



Figura 9 a. Efecto de la rotación en la voltametría con

aditivo. Las voltametrías se llevaron a cabo con aditivo tiourea 3*10-5 M en las condiciones: magenta- 0 rpm;

negro- 500 rpm; rojo- 1000 rpm; azul- 1500 rpm; oliva –

2000 rpm. b. recuadro: ampliada la zona de c2 en las mismas condiciones de 9.a. V=10 mVs-1.



Los potenciales de c2 van desde aproximadamente -1,13 V hasta -1,15 V con aditivo, sin rotar, mientras que en las mismas condiciones rotando van desde -1,16 V hasta -1,19 V. La figura 9.b se amplía la zona del pico c2. Todo el proceso de nucleación en c2 comienza en el UPD del zinc donde se forman los primeros núcleos. La rotación impide que en esa zona de potenciales después de c2, una segunda nucleación comience como lo explican Paulo C. Tulio et al (12). Por otro lado, se observa que con aditivo rotando se obtienen valores de j en c2 que parecen depender del aditivo y de la rotación al mismo tiempo. La agitación ayuda a mejorar la transferencia de materia y se suma el efecto del aditivo. En éste caso, la colisión entre núcleos es como la colisión dura entre núcleos llamada “hard collition” por los efectos mencionados.



- 25 -



2.2.4 Efecto de la difusión en presencia de la tiourea. En la figura 10.a, aparece en la zona del pico c2, aumentada la densidad de corriente j, en presencia de tiourea, cuando se rota el electrodo de trabajo. En la figura 10.b, se grafican los valores de j vs w½ / rpm en el pico a un potencial en presencia y ausencia de aditivo.



j / mAcm-2 -j / mAcm -2



0

-10 (a)

-20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100 -110 -120 -130 -140 -150

-1,4 -1,3



1500 rpm



1



2 "pico c "

2



50

(b)

40



30



sin aditivo contiourea3*10-5M



20



10



0 0123456

w1/2 / s-1/2

-1,2 -1,1 -1,0 -0,9 -0,8 -0,7 -0,6 E/ V



Figura 10.a Efecto del aditivo tiourea en el barrido voltamétrico a 1500

rpm en la zona de potenciales del pico c2 obtenidas en las condiciones: 1-negro sin aditivo, 2-rojo con 3*10-5M de tiourea. La voltametría se efectuó rotando el electrodo de trabajo, a velocidad v=10 mVs-1. b) recuadro jp vs w1/2 s-1/2, en el potencial del pico c2 con valores de j

tomados a -1,16 V, 1- negro sin aditivo, 2- rojo en presencia de tiourea.



Para las dos voltametrías, curvas 1 y 2, el pico en c2 es debido al control por transporte en esa zona de potenciales. Al rotar, el valor del espesor de la capa difusional de Nernst  disminuye, con lo que la corriente aumenta notablemente. En el pico c2, con tiourea, el aumento de la corriente es aún mayor en el caso de la curva 2. Esto es así, porque el aditivo favorece aún más la nucleación lo que hace que aumente el área notablemente y por lo tanto los valores de j aumenten al triple en el pico. Los valores de j obtenidos y que aparecen en la figura



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10. b, fueron extraídos de las voltametrías, en el pico, a cada velocidad de rotación. En la figura 10.b, para el caso de la nucleación de cinc, sin aditivo, el proceso es controlado por transporte o transferencia de materia, para todas las velocidades de rotación. Para el caso de la electrodeposición con tiourea, el valor de j es independiente de la velocidad de rotación, lo que indica que en el proceso controla la cinética de la reacción y no se produce control por transporte. Se explica este fenómeno por la modificación de la cinética de deposición rotando en condiciones en las que se agrega aditivo a la solución de electrodeposición. Puede mantenerse la densidad de corriente constante j, con el aumento de w por la adsorción de la tiourea sobre los núcleos. 2.2.5 Efecto de la concentración de aditivo en la zona de control activado. En este proceso de electrocincado, figura 2, se aprecia que mayores concentraciones de aditivo hacen que aumente j a cada potencial. Se muestra a continuación en la zona de inicio de potenciales de deposición de control activado, en la figura 11 ampliación de la figura 2.



j / mA cm-2



-10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50

-1,17



-1,16



1

2 3 4



-1,15 -1,14 E/V



-1,13



-1,12



Figura 11. Voltametrías de la electrodeposición de cinc

obtenidas con las adiciones de tiourea indicadas: 1) sin aditivo 2) rojo 1*10-5M tiourea 3) azul 1*10-4M tiourea 4) magenta +1*10-3 M. Solución de electrodeposición: ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M, pH 4, I = 5,1M, V = 1-02m7V-s-1.



En todas las voltametrías los valores de jca > jsa. Estos valores de j son proporcionales al área del metal que se está depositando, en presencia de tiourea. Estos valores de j mayores con aditivo implica un área mayor en presencia de tiourea que se puede atribuir al mecanismo de refinamiento de grano que se evidencia en un cambio la microestructura de los depósitos (1). R. Winand(13) tratando el tema de la microestructura del metal que se está depositando con los valores aplicados de sobrepotencial  o densidad de corriente, j, indica que “a bajos sobrepotenciales se producen altas rugosidades, mientras que a altos sobrepotenciales los depósitos son lisos y menos rugosos”. En el mismo tratado T. Watanabe(13), p 46, indica “para metales puros que se depositan, los cristales crecen con granos largos y perpendiculares al sustrato. En estas condiciones, la superficie no necesariamente tiene que ser rugosa, puede ser lisa u ondulante dependiendo de los aniones y aditivos que están presentes en la solución”. Por eso, para cada concentración de aditivo, los valores de j estarán relacionados con la rugosidad que es función: del tamaño de grano generado, el anión Cl- presente en la solución, la acción del aditivo, en este caso la tiourea y la rugosidad del sustrato. Ésta, a su vez está influenciada por la acción del aditivo en la etapa de acondicionamiento. En la teoría sobre los aditivos, se considera un mecanismo que explicaría la acción del aditivo tiourea durante la electrodeposición. El mismo se utiliza no sólo en el cincado, sino también en el cobreado y en el niquelado (para los baños de Watts de cloruro de níquel más sulfatos de níquel). Su acción produce el abrillantado y el nivelado en todos los casos. Como antes se dijo, la acción del aditivo depende del sustrato, de la solución y su química (aditivos, aniones, complejos, pH) y de la perturbación aplicada, siendo todos estos factores que condicionan el proceso. Según Oniciu y Muresan(1) la tiourea actúa refinando el grano en la deposición de cobre, compuestos de H2S y NH4CN. El H2S reacciona con el Cu dando el SCu, que actúa por bloqueo de la difusión de adátomos de Cu, causando la nucleación y produciendo nuevos centros de crecimiento. T. Watanabe10, p 25, reporta que “mayores corrientes producen cristales o granos individuales de menor tamaño, con depósitos lisos. Altas corrientes o altos valores de j pueden deberse a procesos de deposición con formación de compuestos de S que

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cambian la superficie cristalina”. En este sentido, en el caso de los depósitos de cinc con tiourea por SEM, en las microestructuras ver el ítem 10, se observan núcleos sobre núcleos, con un refinamiento de grano en presencia de tiourea, que se observa en determinadas zonas de la superficie, que explica un cambio de la microestructura a altos sobrepotenciales que se corresponden con altos j. M. S. Youssef et al14 indican que a medida que aumenta la concentración de tiourea se produce una disminución del tamaño de grano en los cincados que son brillantes y nivelados utilizando corriente pulsante. En una solución de cloruros concentrada, muestran morfologías de los depósitos y explican que el refinamiento de grano, se da por el incremento de la corriente utilizada. Respecto del sobrepotencial obtenido refieren que depende de la concentración de aditivo empleada y que se obtiene un plateau de  / V. En las figuras 2 y 11, los valores de j altos y crecientes con la concentración de aditivo está relacionada con la teoría explicada para la acción de la tiourea por Oniciu y Muresan(1). Estos autores se refieren al efecto de los aditivos en el incremento de los valores de la densidad de corriente de trabajo, j, en la deposición. Aportan como ejemplo para la deposición de plata en medio de AgNO3, que adicionado el Na selenato el valor de j de trabajo, puede aumentarse de 40 a 100 mAcm-2. Además, se refieren a un más eficiente nivelado cuando es más alta la densidad de corriente j en la que se puede trabajar, éste fenómeno lo llaman “extensión del rango de densidad de corriente”. La acción de la tiourea puede producir el cambio de tamaño de grano por el refinamiento de grano, o nivelar el depósito produciendo aumentos en j por el cambio del área y la velocidad de crecimiento superficial además de la modificación de la microestructura.

3. Utilización de la aproximación de Tafel para determinar el valor de jo en presencia de tiourea. La técnica que se utiliza consiste en un barrido anódico muy lento partiendo de un potencial 30 mV más catódico que el potencial de reposo hasta 30 mV más anódico. Seguidamente, del gráfico obtenido de log j vs E se obtiene la densidad de corriente extrapolada jo. Este valor de jo tiene mucha importancia en electrodeposición porque da idea de la calidad de los

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depósitos (15, 16, 17, 18). La tiourea así como otras sustancias adicionadas a los baños de electrodeposición, modifican el valor de la densidad de corriente de intercambio j0 en el potencial de reposo que en general disminuyen su valor. En esta experiencia partiendo de cinc electrodepositado obtenido voltamétrica- potenciostáticamente a Eg = -1,12V hasta alcanzar Q =3,7 mC cm-2. Se lava y seca el electrodo y luego se realiza el barrido desde un potencial 30 mV más catódico que ECA, en el sentido anódico, a velocidad muy baja de 0.5 mV s-1. Se realiza el barrido en solución de electrodeposición en presencia y ausencia de aditivo.



1



10



j



2



0



j

0



1



jc / mAcm-2



0,1 -1,14



-1,13



-1,12



-1,11 E/V



-1,10



-1,09



-1,08



Figura. 12. Determinación del j0 de acuerdo a la aproximación de Tafel en presencia y ausencia de tiourea. Se llevó a cabo sobre cinc

previamente electrodepositado (voltamétrica-potenciostáticamente)

en el potencial de deposición Eg = -1,12V. Durante el

electrodepósito previo se llevó la carga en Eg, hasta alcanzar Q =3,7 mC cm-2. Luego se realizó el barrido de la figura en el sentido anódico, a velocidad muy baja de 0.5 mV s-1. Las soluciones

utilizadas: 1-ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M sin aditivo, 2- ZnCl2 0,3M + NH4Cl 4,2M + 2,5*10-5M tiourea. I = 5,1M pH = 4.



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En la figura 12, se observa que el aditivo modifica el potencial de reposo, en unos pocos mV (se corre el potencial hacia valores más positivos, con aditivo). Al mismo tiempo, se espera que el valor de jo disminuya con tiourea respecto del jo en ausencia de aditivo. Se admite que el aditivo modifica principalmente la corriente de la rama catódica, porqué la adsorción del aditivo es ahora sobre el zinc previamente depositado, al potencial ECA. Lo que hace que se produzca el cambio de la densidad de corriente j en cada potencial. Los valores experimentales de jo obtenidos se presentan en la tabla 1.

Tabla 1.



Soluciones

Solución de electrodeposición Solución de electrodeposición + tiourea



j0 / mA cm-2 (experimental)

4 2



j0 / mA cm-2 (19) (según la

bibliografía) 2 - 4 - 3,9 - 16,4

-



Los valores de experimentales de jo, resultan del trazado de las tangentes en la rama catódica y anódica de la figura 13. Para el caso sin aditivo en solución, el valor de jo es de 4 mA cm-2 y con tiourea en la solución, el valor es de 2 mA cm-2. D. S. Baik16 y Trejo y D. J. Fray (19, 20) mostraron los valores que se presentan en la tabla y precisaron que las diferencias entre uno y otro valor obedecían a las diferencias de pulido, en cada caso. El modo en que se mide el valor de j0 es muy importante porque varía considerablemente según sean las condiciones de la experiencia: la solución, el material del sustrato, el pulido, la velocidad de barrido y si el valor de la densidad de corriente, jo se mide rotando ó no. G. Trejo, R. Ortega B, and Y. Meas V(20) publicaron los valores experimentales de j0 vs concentración de ZnCl2 en la soluciónque variaban en un rango muy amplio desde 0,36 hasta 101,2 mA cm-2, según las concentraciones de cinc en la solución, desde 0,01 hasta 0,4 M, rotando el electrodo de trabajo: de



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carbono vítreo, a 2000 rpm realizando un barrido a una velocidad v = 10 mVs-1. Las condiciones de deposición determinan las características morfológicas de los depósitos. Como es de esperar, los valores de la densidad de corriente de intercambio, j0, disminuyen en el caso del agregado de tiourea a la solución de electrodeposición de cloruros porque la misma reacciona adsorbiéndose sobre el metal disminuyendo la constante cinética k de la reacción de deposición sobre los núcleos que es proporcional a jo donde j0 = k c (9,21). La presencia de sustancias como aditivos o algunas impurezas disminuyen fuertemente la densidad de corriente de intercambio porque se adsorben mucho más fuertemente a la superficie que las moléculas de agua como ligandos del complejo metálico(27). Estos valores dependen fuertemente de la concentración de aditivo. El valor de jo puede tambien aumentar en el caso de utilizar aditivo en una concentración inapropiada. De ahí, la importancia del uso de aditivos, debido a que reducen los valores de j0 sobre los núcleos, luego no ocurre “polarización por concentración” sobre los mismos que no es deseable en un buen proceso de electrodeposición (los depósitos son porosos y por ello, de mala calidad). Como consecuencia, con un jo bajo se asegura que ocurren las colisiones entre núcleos pequeños que chocan por colisión dura, determinando depósitos de mejores características . (15,22,23,24)

4. Efecto del agregado de tiourea en la morfología de los depósitos. Se analizó el depósito previamente generado, por Microsonda Electrónica. El propósito de esta experiencia fue la determinación de la morfología y el tamaño de grano, además del análisis con Microsonda para determinar si se incorporaba S a la superficie del electrodo proveniente de la tiourea.

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En el inicio de la experiencia, como en todos los casos, se pulió el electrodo con esmeril 600. Se potenciostatizó a un potencial inicial Ei de -0,65V, acondicionando el electrodo de trabajo durante un tiempo de 300 s mediante un barrido voltamétrico catódico a 100 mV s-1 hasta Eg= -1.12V seguido de crecimiento potenciostático hasta 0,5 C cm-2. La solución contenía aditivo tiourea en una concentración de 5 *10-5 M.

Figura 13. Fotomicrografía del depósito obtenido por: barrido voltamétrico seguido de potenciostática en Eg = -1,12V hasta 0,5 C cm-2 en presencia de 5*10-5 M de tiourea. Análisis por Microsonda Electrónica de área de 0,1 mm x 0,1mm. Magnificación: 3000X. En el análisis de los depósitos, en el espectro por Microsonda Electrónica, se detectaron cinc Zn, hierro Fe y oro Au. El Zn es correspondiente al inicio de la electrodeposición, el hierro del sustrato y el Au por el metalizado de la muestra antes del análisis. No se encontró S que pudiera relacionarse con la tiourea incorporada en la superficie. En ausencia de tiourea, en la solución de electrodeposición, se obtuvieron pocos núcleos sobre la superficie del sustrato en un potencial de Eg = -1,12V, que corresponde al inicio de la nucleación. En presencia de tiourea, un potencial de -1,12 V corresponde a la zona de potenciales entre el pico c2 y el pico c3 (control por transferencia

- 33 -



de carga de la voltametría). Se observan numerosos núcleos como en la figura 13.

5. Eficiencia de deposición o carga recuperada en la zona de nucleación en presencia de tiourea. La eficiencia de la deposición se calcula creciendo depósitos voltamétrica potenciostática y luego la disolución, como está explicado en Materiales y Métodos. La medición se hace a través de la relación de cargas de deposición y de disolución en la zona de potenciales de estudio, en este caso en el pico c2. Se hace por disolución voltamétrica de depósitos obtenidos previamente mediante la técnica voltamétrica rápida y el crecimiento de depósitos potenciostático con tiourea(9 ). Se muestra la disolución de depósitos en NaOH 1N, a partir de depósitos realizados en soluciones de 4.2 M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2. con aditivo en concentraciones crecientes. Inicialmente para la deposición se acondicionó el electrodo igual que siempre y luego se realizó un barrido rápido a 100 mV s-1 y crecimiento de la carga en -1,12V, hasta un valor de 3,7 C cm-2, en las concentraciones que indica la figura 14.

20

16

12

8

4

0

-4

-8

-1,6 -1,5 -1,4 -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 E/V

.

Figura 14. Voltametrías de disolución en NaOH 1N de algunos depósitos con aditivo mediante la voltametría de disolución anódica muy lenta a 0,5 mV s-1. Para la

- 34 -



j / mA cm-2

a



disolución el potencial de partida fue el indicado en la experiencia, -1,6V, y sin

espera. Los depósitos fueron obtenidos a partir de soluciones de 4.2M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2.+ aditivo. Negro ▲sin aditivo, rojo 10-4 M tiourea, azul 10-3M tiourea. La

técnica de deposición utilizada fue la voltamétrica-potenciostática: un barrido rápido a 100 mV s-1 desde el Ei hasta Eg = -1,12V y crecimiento de la carga siempre hasta 3,7 C cm –2 que corresponde a un E en la zona de control activado.



En todos los casos, en la figura 14, pasando igual carga Q durante la deposición Q = 3,7 Ccm-2, el área debajo del pico es proporcional a la carga de disolución. Se encuentra que para igual carga aplicada Qdep, en todas las experiencias de deposición, con mayor concentración de aditivo aumenta el área debajo del pico de disolución Qdis. Es que se deposita más cuando aumenta la concentración de tiourea (ver la figura 14). Luego, la eficiencia aumenta al potencial de deposición de -1,12 V y está dada por la relación:



  Qdis Qdep

Los valores de eficiencia  , así obtenidos se presentan en la figura 6.1.21,



para un rango amplio de potenciales de deposición (zona de control



activado, del pico c3 y de tendencia a la corriente límite). Milan Paunovic25 definió la eficiencia como la carga necesaria para la reacción dividido por la



carga total que se pasa.



En este caso, en los potenciales de inicio de la deposición se sabe que la



tiourea cataliza la reacción de deposición. Además el proceso también está



influenciado por la constante de formación del complejo que se forma de



zinc con tiourea. Es decir, la tiourea tiene un efecto sobre la cinética de la



deposición



del



par



Zn-Cl



(26).



La



acción



de



los



complejos



de



Zn[SC(NH2



)2



]2 2



+



.



6. Eficiencia o carga recuperada en la deposición galvanostática. Se realizaron saltos a diferentes Ig en los que se hace la deposición, con una misma concentración de tiourea, figura 15. Las curvas muestran la disolución de depósitos, a partir de soluciones de 4.2 M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2. obtenidos agregando a la solución de deposición una concentración de aditivo de 10-5 M. Inicialmente para la deposición se acondiciona el electrodo igual que siempre, luego se realiza el salto hasta los Ig indicados en la figura, y en cada caso se alcanza la carga Q de deposición previamente establecida, en este caso Qdep = 1,5 Ccm-2. Después se realiza la disolución voltamétrica desde un potencial negativo

- 35 -



como para visualizar la curva de disolución completa. En el caso en que no se viera la curva de disolución completa se realiza igual la deposición y se parte de un potencial más catódico para la disolución. Consecutivamente, se muestran las voltametrías de disolución de depósitos crecidos galvanostáticamente.



j / mA/cm-2



15



4



3

10 2



5



1



E i



0



-1,4



-1,3



-1,2



-1,1



-1,0



E/ V



Figura 15.Voltametría de disolución en NaOH 1N de depósitos de cinc obtenidos galvanostáticamente a Ig. La solución en medio de ZnCl2 0.3M + NH4Cl 4.2M+ tiourea en una concentración de 10-5M. El valor de la carga Qdep = 1,5C cm-2 se obtiene galvanostáticamente a Ig: 1- 1 mA cm-2, 2- 2 mA cm-2, 3- 3 mA cm-2, 410 mA cm-2. v= 0,5 mVs-1.

Se obtuvieron las eficiencias, , de la relación de cargas de disolución y deposición como ya se explicó. Se encontró que aumenta la carga recuperada % a medida que aumenta la densidad de corriente. Mediante la relación entre las cargas de disolución y de deposición se obtienen las eficiencias que se muestran en la figura 16, las curvas de Ig vs eficiencia para concentraciones de tiourea de 10-5 y 10-4 M.

- 36 -







100 90 80 70 60 50 40 30 0



con aditivo



sin aditivo



sin aditivo

con tiourea 10-5M 10-4M



5



10



15



20



25



-j mA cm -2



Figura 16. Influencia del agregado de tiourea en la eficiencia de deposición galvanostática. Las concentraciones del aditivo las que se indican. a) sin aditivo, b)1*10-5M, c) 1*10-4 M. El crecimiento de los depósitos se realizó mediante los saltos a cada Ig de la figura.

En la figura 16, se indica que a mayores corrientes de deposición, Ig, en aumentan las eficiencias de deposición y que tienden a un valor alto y parecido de  , tanto en presencia de tiourea como en ausencia del aditivo (ver la línea llena que marca la tendencia a altas j). Las eficiencias mejoran apreciablemente a bajas corrientes con el agregado de aditivo. A valores de Ig mayores, del orden de 8 mA cm-2, se obtienen eficiencias altas con y sin aditivo. Aunque los depósitos son mejores (de color gris brillantes y claros) a partir de los 3 mA cm-2 y en densidades de corriente mayores, cuando la tiourea está presente en la solución aún en la menor concentración. Oniciu y Muresan, R. Winand V. y otros(1,27,57) indican que se requieren altos sobrepotenciales o altas corrientes para producir una

- 37 -



alta velocidad de nucleación y un alto sobrepotencial de cristalización que causa nivelado y abrllantado en los depósitos, “mechanism of levelling and brightening” cuando se utilizan concentraciones apropiadas del aditivo. El recubrimiento es mejor y más nivelado por el aumento de densidad de corriente a bajos sobrepotenciales, que hace que se facilite la reacción de nucleación por el choque entre núcleos es duro y deseable (disminuyen los campos difusionales entre núcleos. De este modo, la densidad de corriente medida aumenta rápidamente y es proporcional el área total superficial por el fácil acceso de los iones a la superficie. 7. Deposición voltamétrica en la zona de potencial de control activado a bajas velocidades de barrido. Se presenta en la figura 17, la voltametría en condiciones cuasiestacionarias en la presencia y ausencia de aditivo tiourea. Se trata de calcular los valores de j0 a partir de los datos experimentales.

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0



-5



jc / mAcm-2



-10



-15



sin aditivo



-20



con tiourea 3*10-5M



-1,3 -1,2 -1,1 -1,0 -0,9 -0,8 -0,7 -0,6

E/V



Figura 17. Deposición voltamétrica en el estado cuasi-estacionario a velocidad v = 0,5 mV s-1, en presencia y ausencia de tiourea.

En la figura 17, el potencial de inicio de la nucleación prácticamente no se desplaza en presencia de tiourea. En este caso, en el barrido en estado estacionario, se advierte que el pico c2 desaparece, lo que se corrobora en casi todos los casos (en esta zona de potenciales en la voltametría y la voltametría de onda cuadrada). En la zona de potenciales de nucleación, antes del cruce entre las curvas, para el mismo potencial jca < jsa. Después del cruce, en la zona de nucleación, el jca > jsa. La primera afirmación se relaciona con una inhibición de la nucleación en presencia de aditivo. En tanto, que con tiourea en solución, se puede afirmar que después del cruce para cada potencial, se facilita la deposición masiva, en la zona de control activado(27). Esto es así, porqué los valores de j con aditivo son mayores que los de j sin aditivo, luego el aditivo acelera la nucleación en c2 y la reacción de deposición en c3. En la zona de donde los valores tienden a la densidad de corriente límite, es la misma la densidad de la corriente jl, con

- 39 -



y sin aditivo lo que se puede explicar por la desorción del aditivo en esos potenciales. Los valores de j0 en presencia y ausencia de aditivo han sido obtenidos de la pendiente a partir de la recta desde el inicio de la deposición. Considerando que la aproximación de Tafel está dada por la ecuación:



i  ionF 1  , considerando n  2   0,5 y siendo el valor de R * T = 0,025V



RT



F



donde tomando el valor de la pendiente Δi que se obtiene de la figura 17, Δη



considerando el valor para potenciales entre el inicio de la deposición hasta



aproximadamente 20 mV en el sentido catódico. Los valores calculados de



j0 aparecen en la tabla 2:



Tabla 2.



Valores de j0 obtenidos en la zona de control activado



Sin aditivo



8,9 mA cm-2



Con aditivo



23,7 mA cm-2



El valor que se obtuvo de jo es alto en el caso con aditivo y es mayor que en el caso sin aditivo. El valor mayor de jo con aditivo, se explica porque la tiourea aumenta la deposición masiva en la zona con control activado, donde prácticamente desaparece el pico c2 y, aumenta el pico en la zona de control por transferencia de materia ver las figuras 2 y 10. Los valores calculados son aproximados a los publicados en la literatura para deposición de cinc (19,20).

8 Carga recuperada o eficiencia de deposición (voltamétrica potenciostática) en un potencial en la zona de control activado. Se calcula mediante la disolución voltamétrica de depósitos crecidos potenciostática a distintos potenciales Eg para depósitos crecidos en la zona de control activado. Se realiza el mismo procedimiento de deposición ya explicado, pero en este caso el potencial de deposición es Eg = -1,14 V, en presencia de tiourea en

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la solución de electrodeposición, mediante un barrido rápido y luego el se realiza el crecimiento de la carga potenciostáticamente. en ese Eg igual que antes, y seguidamente se llevó a cabo la disolución voltamétrica. Manteniendo en todos los casos la carga de deposición y el potencial en el que la carga crece hasta E = -1,14 V, se puede observar en la figura 18, el caso de la voltametría de disolución de depósitos con el agregado de 10-5 M o 10-4 M de tiourea, a la solución de deposición.



ja / mA cm-2



20



16



12



8



4



0



-4



-8



-1,7



-1,6



-1,5



-1,4



-1,3



-1,2



-1,1



-1,0



E/V



Figura 18. Voltametrías de disolución en NaOH 1N de algunos depósitos con aditivo mediante la voltametría de disolución anódica muy lenta a 0,5 mV s-1. Para la disolución el potencial de partida fue el indicado en la experiencia, -1,6V, y sin espera. Los depósitos fueron obtenidos a partir de soluciones de 4.2 M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2.+ aditivo. a- Negro 0 sin aditivo, b- rojo 10-5 M tiourea, c- azul 10-4 M tiourea. La técnica de deposición utilizada fue la voltamétricapotenciostática: un barrido rápido a 100 mV s-1 desde el Ei hasta Eg = -1,14V y crecimiento de la carga siempre hasta 3,7 C cm –2 que corresponde a un E en la zona de control activado.

En los dos casos en los que se agregó aditivo en la solución de deposición

es igual la curva de disolución. Lo que demuestra que la eficiencia se

mantiene constante, a partir de concentraciones del aditivo en la solución

iguales ó mayores que 10-5 M. Esta concentración es la máxima que debería

utilizarse durante la deposición potenciostática de cinc, a –1,14V, porque



- 41 -



mayores agregados de tiourea en la solución, hacen que la eficiencia de deposición se mantenga constante. En esta experiencia, el valor del grado de cubrimiento  de la superficie se mantiene y del mismo modo se mantiene constante también la eficiencia  de reacción. Se podría suponer que existe la adsorción bloqueante del aditivo tiourea en la superficie en este potencial Eg (9, 28). El efecto de la adsorción bloqueante se ha encontrado para la electrodeposición de cadmio en presencia de otros aditivos, donde la eficiencia aumenta con la concentración del aditivo hasta un punto y luego disminuye por la evolución de hidrógeno(37). Si bien el efecto es parecido, no se ha encontrado bibliografía que reporte la adsorción bloqueante, en cincados para aditivo tiourea. Por otra parte se confirmó que para valores de Eg -1,16V mayores, la eficiencia disminuye, figura 19, cuando se agrega tiourea a la solución de deposición respecto del caso sin aditivo. En particular se realizó la experiencia para una concentración de tiourea en solución de 1* 10-5 M.

20

15

10

5

0

-5

-1,7 -1,6 -1,5 -1,4 -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 E/V

Figura 19. Voltametrías de disolución en NaOH 1N de algunos depósitos con aditivo mediante la voltametría de disolución anódica muy lenta a 0,5 mV s-1. Para la disolución el potencial de partida fue el indicado en la experiencia, -1,6V, y sin espera. Los depósitos fueron obtenidos a partir de soluciones de 4.2 M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2.+ aditivo. Negro \_ sin aditivo, rojo ∆ 1*10-5 M tiourea. La técnica de deposición utilizada fue la

- 42 -



ja / mA cm-2



voltamétrica-potenciostática: un barrido rápido a 100 mV s-1 desde el Ei hasta Eg = -1,16V y crecimiento de la carga siempre hasta 3,7 C cm –2 que corresponde a un E en la zona de control activado.

Tomando en cuenta las curvas presentadas en las figuras 18 y 19 comparadas entre sí. Se puede ver que cuando se potenciostatiza y crece la carga igual que siempre, la eficiencia es menor en la deposición en Eg = 1,16 V, porque disminuye la carga ó el área bajo la curva, respecto del caso anterior a Eg -1,14V. Todo ocurre como si como si hubiese un alto grado de cubrimiento de la superficie siempre que la tiourea está presente en la solución de deposición. La figura 20, muestra como varía la eficiencia o carga recuperada para la deposición a diferentes potenciales en presencia y ausencia de aditivo.



100



90



Carga recuperada %



80



70



Tiourea adicionada



60



0M



10-5 M



50



10-4 M



-1,18



-1,16



-1,14



E/V



-1,12



Figura 20. Carga recuperada vs potencial, obtenida a partir de

voltametrías de disolución para concentraciones de tiourea 1- negro ▀ sin aditivo, 2- ▀ 10-5 M tiourea, 3- oliva▲10-4 M tiourea. Datos

obtenidos a partir de la disolución voltamétrica anódica de depósitos

a partir de soluciones de 4.2 M NH4 Cl + 0.3 M ZnCl2.+ aditivo y en ausencia del aditivo. La deposición previa se realizó mediante un barrido rápido a 100 mV s-1 hasta Eg potencial de la figura en el que se realizó el crecimiento de la carga Q hasta 3.7 C cm-2. v=0,5mVs-1.



- 43 -



Asimismo, en valores de potencial Eg de deposición más negativos, pequeñas concentraciones de aditivo disminuyen la eficiencia de la reacción, lo cual parece estar relacionado únicamente con la adsorción sobre el sustrato, e inhibición de la deposición del metal (29). Mientras que en el proceso de deposición a ciertos potenciales más negativos, disminuye la eficiencia, por la reacción de descomposición del agua que compite con la deposición conjuntamente a la evolución de hidrógeno y también la posible desorción del aditivo en esos potenciales (11, 30).

6.1.9 Ajuste de las ecuaciones teóricas de nucleación instantánea y progresiva para el cincado en presencia de tiourea en la solución. En la figura 21, se presentan los cronoamperogramas que resultan de los saltos a los potenciales Eg(31,32,33).



-j / m A cm -2 (i / imáx)2



35

(a)

30



25



-1.20 V



20



-1,18 V



15



-1,17V



10



5 -1,16 v



0



0



20



40



60



80 100



t/s



1,1



1,0



0,9



(b)



0,8



0,7



0,6



0,5



0,4



0,3



-1,18 V



0,2



medido



0,1



progresiva



instantánea



0,0



-0,1



0



2



4



6



8



10



(t / tm)2



Figura 21. a.Saltos potenciostáticos a los potenciales indicados en la figura en la zona de control activado con aditivo. b. Ajuste de los saltos a la zona de deposición masiva a las ecuaciones teóricas. Solución de electrodeposición de ZnCl2 + NH4Cl con 3*10-5M de tiourea en las figuras (a) y (b).

En la figura 21.a, los saltos a cada potencial determinan un área bajo la curva que está relacionada a la carga correspondiente a la masa depositada o a otra reacción paralela como la descomposición del agua. Durante años se han publicado artículos basados en las ecuaciones teóricas de Sharifker y Mostany referentes a electrodeposición de diferentes

- 44 -



metales, con el análisis del tipo de nucleación, detalles en relación del cambio de cinética que producen los aditivos en cada caso (56, 34, 35, 36, 37, 38, . 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55) De acuerdo con la figura 21.b, potenciostatizando a -1,18 V, en presencia de 3 * 10-5 M de tiourea, los datos se ajustan a las ecuaciones teóricas de nucleación instantánea en todo el rango de tiempos considerados. A. E. Alvarez y D. R. Salinas (56)para la deposición de cinc sobre HOPG (grafito altamente orientado, encontraron igual que en este trabajo que la nucleación se ajusta al modelo de nucleación instantánea en todos los saltos potenciostáticos, en presencia de tiourea.



6.1.10 Fotomicrografías obtenidas por SEM de depósitos potenciostáticos obtenidos en presencia y ausencia de tiourea. En la figura 22, se observan los crecimientos a -1,14V sin y con concentraciones crecientes de tiourea.



(a)



(b)



(c)

Figura 22. Voltamétrica potenciostática a -1,14V 100s. Solución de electrodeposición ZnCl2 + NH4Cl a) sin aditivo b) con 3*10-5 M tiourea c) con 10-4 M de tiourea.

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(a)



(b)



Figura 23. Voltamétrica potenciostática a -1,16V 100s. a) sin aditivo b) con 3*10-5 M de tiourea

En todos los casos se encontró una microestructura hcp hexagonal compacta, tanto en presencia como en ausencia de tiourea. La diferencia encontrada cuando se agregó tiourea, es que aunque aparecen zonas que aparentemente son porosas y no están cubiertas que se analizaron por SEM dando presencia de cinc. Mientras que, en la zona analizada, el tamaño de grano es mucho menor, en presencia de tiourea. Es muy probable que en presencia de aditivos al desplazarse los potenciales hacia valores más negativos durante la deposición se depositen más núcleos y mas pequeños y sobre ellos nuevos núcleos de todo tamaño. En las figuras 22 y 23, se observan grandes cristales como si hubiera una segunda nucleación, sobre los cristales previamente depositados. A la vez la tiourea genera “screw dislocation” defecto superficial típico denominado dislocación tipo tornillo(57). Identificando el tipo de morfología y el tamaño de grano del cinc electrodepositado utilizando aditivo, se pretendió conocer si en el caso de la tiourea presente en la solución el S de su molécula se incorporaba a la superficie. Para ello se prepararon muestras con aditivo que luego se analizaron por la técnica superficial de XPS.

- 46 -



11 Análisis por XPS, de una muestra preparada en solución con tiourea. Se preparó la muestra de acero acondicionándola y sobre la misma se depósito cinc, a partir de una solución de electrodeposición con tiourea 3*10 –5 M de tiourea. El depósito se realizó mediante la técnica voltamétrica seguida de potenciostática igual que siempre siendo Eg –1.15V, en el que se potenciostatizó hasta Q = 1C cm-2. Luego se analizó por XPS. La figura muestra el espectro amplio de energías.



2000 1500



"espectro wide" de la muestra

Zn 2p



cuentas (u.a)



1000



500



Zn 3p



C



Zn 3d



Zn 3s Zn S 2p



Cl



0



O



O



0



200



400



600



800



energía de ligadura eV



1000



1200



Figura 24. Espectro amplio “Wide” ó amplio en energía de la muestra. Espectros “narrow” de la muestra a partir de solución de cloruro con tiourea. Se preparó una mezcla de (cloruro de amonio + cloruro de cinc) a pH 4.



Aparecen los picos XPS de C, O, Zn y Cl y los picos Auger de Zn, C y O. El O presenta un pico asociado a óxidos ó hidróxidos. El Cl presenta un pico 2p bien definido, con máximo en 200,2 ± 0,2 eV, posición atribuible a Cl adsorbido o combinado como ZnCl2. No se detectaron los elementos S y N. En esta muestra en la que se utilizó tiourea en la solución, el cloro se encuentra en la superficie en proporción bastante importante, sin combinar (posiblemente adsorbido) ó como cloruro de cinc (199.6eV).



- 47 -



1. No se observó S ni N en cantidades detectables. 2. La tiourea no se detectó en la superficie.

Conclusiones sobre la utilización de tiourea en la solución de electrodeposición.

1. Se comprueba experimentalmente la disminución de la densidad de corriente en el potencial Ei, en presencia de tiourea respecto de j medida en la solución de electrodeposición sin aditivo. 2. Igualmente el aditivo presente en la solución, produce la disminución de la densidad de corriente j sobre el óxido en la zona del pico c1. Del mismo modo, la disminución de la corriente en c1, produce la inhibición de la reacción de reducción de protones. 3. Se puede postular a través de los datos experimentales (Tafel sobre cinc) que los aditivos se adsorben y finalmente inciden en la cinética de deposición. Esto es así, porque la adsorción ocurre antes de iniciarse el proceso de nucleación tanto sobre el metal desnudo como sobre los óxidos. 4. Después del pico c1 se encontró que no se deposita cinc, a un potencial aproximado de –1,0 V. Los aditivos corren el potencial de electrodeposición hacia valores más negativos. 5. La concentración mínima de tiourea, para lograr un corrimiento en el potencial de deposición debe ser por lo menos de 1*10-5 M. La tiourea disminuye el valor j0, respecto del valor sin aditivo (ver la aproximación de Tafel). Lo que hace que choquen los núcleos pequeños que se formaron a potenciales más negativos. 6. A concentraciones crecientes de tiourea, aumenta la eficiencia de reacción de deposición en los potenciales donde se inicia la nucleación. La eficiencia disminuye para el caso de depósitos crecidos potenciostáticamente en la zona de potenciales de deposición masiva entre el prepico c2 y c3, y luego disueltos voltamétricamente, por ejemplo a 1,14V ó – 1,16V. Se puede explicar que al crecer la carga previamente potenciostáticamente según sea el potencial Eg, y al estar adsorbido el aditivo, se obtiene menor carga de disolución y por lo tanto menor eficiencia. Podrían interpretarse los resultados, por los cuales hay un

- 48 -



máximo de carga que se puede depositar, a la adsorción bloqueante del

aditivo, en la superficie.

7. Para depósitos crecidos galvanostáticamente y disueltos

voltamétricamente se determinó que las eficiencias obtenidas no varían

apreciablemente en presencia de tiourea.

8. Se demostró en el análisis de la superficie de una muestra, por XPS,

obtenida en la zona de potenciales de deposición, a Eg = -1,15V, con una concentración de tiourea, en la solución de deposición de 3*10 –5 M, no se

detectaron S ni N en la superficie, o lo que es lo mismo la tiourea no se

incorpora a la superficie.

9. En el análisis mediante Microsonda Electrónica de una muestra

preparada depositando a partir de una solución con aditivo, no se

encontraron S ni N de la tiourea.

Referencias

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- 49 -



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