Colección INTI +


Título: HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
Fuente: Journal of Applied Physics 115, 024501 (2014)
Autor/es: Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P.
Materias: Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas
Editor/Edición: American Institute of Physics; 2014
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